AONR21357, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -32,5А, 12Вт, DFN3x3

AONR21357, Транзистор P-MOSFET, полевой, -30В, -32,5А, 12Вт, DFN3x3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
482 ֏
от 10 шт.403 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 482 ֏
Номенклатурный номер: 8031103464
Бренд: Alpha & Omega

Описание

30V 7.8mΩ@10V,20A 2.3V@250uA P Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 21A;34A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 7.8mΩ@10V, 20A
Drain Source Voltage (Vdss) 30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 2.3V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 2.83nF@15V
Operating Temperature -55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd) 5W;30W
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 70nC@10V
Type P Channel
Вес, г 0.06

Техническая документация

Datasheet AONR21357
pdf, 312 КБ