MMBT6427LT1G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 40 В, 0.5 А, 0.225 Вт
![MMBT6427LT1G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 40 В, 0.5 А, 0.225 Вт](https://static.chipdip.ru/lib/438/DOC004438654.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
75 ֏
Мин. кол-во для заказа 29 шт.
от 138 шт. —
57 ֏
от 275 шт. —
53 ֏
от 549 шт. —
49 ֏
Добавить в корзину 29 шт.
на сумму 2 175 ֏
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 40 В, 0.5 А, 0.225 Вт
Технические параметры
Корпус | sot-23 | |
Collector Current (Ic) | 500mA | |
Collector cut-off current (Icbo@Vcb) | 1uA | |
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@500mA, 500uA | |
Collector-emitter voltage (Vceo) | 40V | |
DC current gain (hFE@Vce,Ic) | 20000@5V, 100mA | |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
Power Dissipation (Pd) | 225mW | |
Transistor Type | NPN | |
Transition frequency (fT) | - | |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Документация
pdf, 186 КБ
Похожие товары