BSS138BK,215, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.14Вт

Фото 1/4 BSS138BK,215, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.14Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
37995 шт. с центрального склада, срок 3 недели
40 ֏
Мин. кол-во для заказа 53 шт.
от 506 шт.31 ֏
от 1011 шт.25 ֏
от 2021 шт.22 ֏
Добавить в корзину 53 шт. на сумму 2 120 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8107108848
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.14Вт

Технические параметры

Корпус SOT23(TO-236AB)
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 360mA
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 350mW
Rds On - Drain-Source Resistance 1.6О© @ 350mA,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60V
Vgs - Gate-Source Voltage 1.6V @ 250uA
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 360 mA
Maximum Drain Source Resistance 1.6 Ω
Maximum Drain Source Voltage 60 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1.6V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 420 mW
Minimum Gate Threshold Voltage 0.48V
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
Width 1.4mm
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 854 КБ
Datasheet BSS138BK,215
pdf, 1581 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 4 июля1 бесплатно
HayPost 8 июля1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг