STGP14NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт

Фото 1/2 STGP14NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
65 шт. с центрального склада, срок 3 недели
1 690 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 7 шт.1 480 ֏
от 14 шт.1 350 ֏
от 28 шт.1 290 ֏
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 3 380 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8387976799
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 50 КГц, 14 А, 600 В, 80 Вт

Технические параметры

Корпус TO-220AB
Brand STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 14 A
Continuous Collector Current at 25 C 11 A
Continuous Collector Current Ic Max 7 A
Factory Pack Quantity 50
Gate-Emitter Leakage Current 150 uA
Height 9.15 mm
Length 10.4 mm
Manufacturer STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 28 W
Product Category IGBT Transistors
RoHS Details
Series 600-650V IGBTs
Unit Weight 0.211644 oz
Width 4.6 mm
Вес, г 2.5

Техническая документация

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 19 июня1 бесплатно
HayPost 23 июня1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг