BFR193WH6327, Биполярный транзистор NPN 12В 80мА 580мВт Кус 70-140 8ГГц

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

132 ֏

Мин. кол-во для заказа 16 шт.

от 80 шт. — 105 ֏

от 160 шт. — 97 ֏

от 319 шт. — 88 ֏

Добавить в корзину 16 шт. на сумму 2 112 ֏

Номенклатурный номер: 8435726117

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы

Биполярный транзистор NPN 12В 80мА 580мВт Кус 70-140 8ГГц

Корпус	sot-323
Pd - рассеивание мощности	580 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	BFR193WH6327XT SP000734404 BFR193WH6327XTSA1
Категория продукта	РЧ биполярные транзисторы
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	70
Максимальный постоянный ток коллектора	80 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	12 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	2 V
Непрерывный коллекторный ток	80 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Рабочая частота	900 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	BFR193
Технология	Si
Тип	RF Bipolar Small Signal
Тип продукта	RF Bipolar Transistors
Тип транзистора	Bipolar
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	SOT-323
Collector-Emitter Breakdown Voltage	12V
Manufacturer	Infineon Technologies
Maximum DC Collector Current	80mA
Package / Case	SOT-323(SC-70)
Packaging	Tape и Reel(TR)
Pd - Power Dissipation	580mW
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.017