STGWT30V60DF, Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

68 шт. с центрального склада, срок 3 недели

1 780 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 7 шт. — 1 520 ֏

от 14 шт. — 1 410 ֏

от 30 шт. — 1 320 ֏

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 3 560 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8564122049

Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы

Биполярный транзистор IGBT, 30 А, 258 Вт, 600 В

Корпус	TO-3P
Base Product Number	STGWT30 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	60A
Current - Collector Pulsed (Icm)	120A
ECCN	EAR99
Gate Charge	163nC
HTSUS	8541.29.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input Type	Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tube
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Power - Max	258W
REACH Status	REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr)	53ns
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	TO-3P
Switching Energy	383ВµJ (on), 233ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C	45ns/189ns
Test Condition	400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Вес, г	5.6