MMBF4391LT1G, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
148 ֏
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
от 71 шт. —
118 ֏
от 142 шт. —
110 ֏
от 284 шт. —
97 ֏
Добавить в корзину 14 шт.
на сумму 2 072 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Транзисторы управляемые p-n переходом
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В
Технические параметры
Корпус | sot-23 |
Brand | ON Semiconductor |
Configuration | Single |
Drain-Source Current At Vgs=0 | 50 mA to 150 mA |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Product Category | JFET |
Series | MMBF4391L |
Transistor Polarity | N-Channel |
Type | JFET |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Channel Type | N |
Idss Drain-Source Cut-off Current | 50 to 150mA |
Maximum Drain Gate Voltage | 30V |
Maximum Drain Source Resistance | 30 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | +30 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Width | 1.3mm |
Drain-Gate Voltage (Max) | 30(V) |
Drain-Source Volt (Max) | 30(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | 30(V) |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature (Max) | 150C |
Operating Temperature (Min) | -55C |
Operating Temperature Classification | Military |
Rad Hardened | No |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 174 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 128 КБ
Datasheet MMBF4391LT1G
pdf, 171 КБ
MMBF4391
pdf, 235 КБ