Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › BST82,215, Транзистор полевой MOSFET ...

BST82,215, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190мА, 0.83Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1759 шт. с центрального склада, срок 3 недели

110 ֏

Мин. кол-во для заказа 19 шт.

от 54 шт. — 97 ֏

от 108 шт. — 88 ֏

от 216 шт. — 84 ֏

Добавить в корзину 19 шт. на сумму 2 090 ֏

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8893330328

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190мА, 0.83Вт

Технические параметры

Корпус	sot-23
Id - непрерывный ток утечки	190 mA
Pd - рассеивание мощности	830 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	10 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3 mm
Другие названия товара №	933733110215
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	65 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel MOSFET
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
кол-во в упаковке	3000
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	190 mA
Maximum Drain Source Resistance	10 Ω
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	3.5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	830 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	1.5V
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Width	1.4mm
Вес, г	0.05