SI2315BDS-T1-E3, Транзистор

Фото 1/2 SI2315BDS-T1-E3, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
510 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 510 ֏
Номенклатурный номер: 9000048255

Описание

Описание Транзистор полевой SI2315BDS-T1-E3 от производителя VISHAY – это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа в SMD-технологии. Устройство обладает током стока в 3 А и напряжением сток-исток 12 В, что обеспечивает его надежную работу в широком диапазоне электронных схем. Мощность транзистора достигает 0,75 Вт, а компактный корпус SOT23 позволяет эффективно использовать плату без необходимости отвода большого пространства под компоненты. Транзистор SI2315BDST1E3 является оптимальным выбором для проектов, где требуется стабильность, долговечность и миниатюризация электронных узлов. Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид N-MOSFET
Монтаж SMD
Ток стока, А 3
Напряжение сток-исток, В 12
Мощность, Вт 0.75
Корпус SOT23

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type P
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 3
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 50 4.5V
Maximum Drain Source Voltage (V) 12
Maximum Gate Source Voltage (V) ±8
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 1190
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status NRND
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology TrenchFET
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23
Typical Fall Time (ns) 50
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 8 4.5V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 715 6V
Typical Rise Time (ns) 35
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 50
Typical Turn-On Delay Time (ns) 15
Вес, г 0.06

Техническая документация

Datasheet
pdf, 180 КБ