LND01K1-G, Микросхема
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
167 ֏
от 5 шт. —
164 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 167 ֏
Описание
МОП-транзистор Lateral N-Ch МОП-транзистор Depletion-Mode
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 330 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 9 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 11 ns |
| Время спада | 6.4 ns |
| Канальный режим | Depletion |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | LND01 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 1 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.8 ns |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | SOT-23-5 |
| Вес, г | 0.0063 |
