IRFH8325TRPBF, MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 15nC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
720 ֏
от 10 шт. —
640 ֏
от 100 шт. —
404 ֏
от 500 шт. —
335 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 720 ֏
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 15nC
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 82 A |
| Pd - рассеивание мощности | 54 W |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 16 ns |
| Время спада | 7.1 ns |
| Высота | 0.83 mm |
| Длина | 6 mm |
| Другие названия товара № | SP001566798 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 74 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | PQFN-8 |
| Ширина | 5 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 82 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.2 mO |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.35V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PQFN 5x6 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 30 |
Техническая документация
Datasheet IRFH8325TRPBF
pdf, 255 КБ
Datasheet IRFH8325TRPBF
pdf, 239 КБ
IRFH8325PBF datasheet
pdf, 261 КБ
