TN2504N8-G, MOSFET 40V 1Ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 810 ֏
от 25 шт. —
1 390 ֏
от 100 шт. —
1 220 ֏
от 2000 шт. —
1 060 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 810 ֏
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 40V 1Ohm
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 890 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1.6 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 1.6 mm |
| Длина | 4.6 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Технология | Si |
| Тип | FET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.6 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 0.89(A) |
| Drain-Source On-Volt | 40(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | SOT-89 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 1.6(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Вес, г | 0.0528 |
Техническая документация
Datasheet TN2504N8-G
pdf, 591 КБ
Документация
pdf, 603 КБ
