IRF9Z30PBF, MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 950 ֏
от 10 шт. —
2 400 ֏
от 100 шт. —
2 010 ֏
от 500 шт. —
1 540 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 950 ֏
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор P-Chan 50V 18 Amp
Технические параметры
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRF9Z |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Base Product Number | IRF9 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 9.3A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 98 |
