Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT › Half-Bridge

Драйверы MOSFET и IGBT конфигурации Half-Bridge, стр.2

_{70 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IR2103STRPBF, Драйвер FET-IGBT, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	910 ֏ 497 ֏ ×	от 5 шт. — 421 ֏
IR2104STRPBF, Полумостовой драйвер HIGH/LOW SIDE [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	540 ֏ ×	от 10 шт. — 498 ֏
IR2106STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 830 ֏ ×	от 5 шт. — 1 810 ֏
IR21084SPBF, SMPS драйверы верхнего и нижнего ключей (600V, 0.12/0.25A) [SO-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-14(0.154 inch)	быстрый просмотр	2 670 ֏ 1 590 ֏ ×	от 5 шт. — 1 580 ֏
IR2109PBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 700 ֏ 1 060 ֏ ×	от 5 шт. — 1 050 ֏
IR2109SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 400 ֏ 970 ֏ ×	от 5 шт. — 930 ֏
IR2110STRPBF, Полумостовой драйвер HIGH/LOW SIDE [SOIC-16] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 3.3…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 500 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	1 280 ֏ 810 ֏ ×	от 10 шт. — 760 ֏
IR2111PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 8.3 Логическое напряжение (VIH), В: 12.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 110 ֏ ×	от 5 шт. — 1 090 ֏
IR2111SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 8.3 Логическое напряжение (VIH), В: 12.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 320 ֏ ×	от 5 шт. — 1 300 ֏
IR2113PBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 3.3…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 670 ֏ 1 760 ֏ ×	от 5 шт. — 1 730 ֏
IR2113SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-16W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 3.3…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 190 ֏ ×	от 5 шт. — 1 180 ֏
IR2130PBF, Трехфазный мостовой драйвер, [DIP-28] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-28(0.600 inch)	быстрый просмотр	7 800 ֏ 5 200 ֏ ×
IR2130SPBF, Трехфазный мостовой драйвер, [SO-28] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-28(0.600 inch)	быстрый просмотр	7 600 ֏ 5 200 ֏ ×
IR2132SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, инвертируюший вход, 6-OUT, High и Low-Side, 3-фазный мост [SOIC-28W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-28(0.600 inch)	быстрый просмотр	4 000 ֏ 2 760 ֏ ×	от 5 шт. — 2 700 ֏
IR2133JPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, инвертируюший вход, 6-OUT, High и Low-Side, 3-фазный мост [PLCC-44, 32 pins] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 90 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ) Корпус: PLCC-44, 32 Pins(16.58x16.58)	быстрый просмотр	7 200 ֏ 4 880 ֏ ×	от 5 шт. — 4 830 ֏
IR2136PBF, Драйвер MOSFET/IGBT для 3-фазных приложений [DIP-28W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 125 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-28(0.600 inch)	быстрый просмотр	4 070 ֏ 2 660 ֏ ×	от 5 шт. — 2 650 ֏
IR2136SPBF, 3х фазный мостовой драйвер MOSFET/ IGBT, [SO-28] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 125 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-28(0.295 inch)	быстрый просмотр	3 520 ֏ 2 310 ֏ ×	от 5 шт. — 2 290 ֏
IR21531PBF, Полумост с генератором 600В 200мА [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 110 ֏ ×	от 5 шт. — 1 090 ֏
IR2153PBF, Самотактируемый полумостовой драйвер, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 640 ֏ 940 ֏ ×	от 5 шт. — 890 ֏
IR2153SPBF, Самотактируемый полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 280 ֏ 760 ֏ ×	от 5 шт. — 740 ֏

Драйверы MOSFET и IGBT конфигурации Half-Bridge, стр.2

ООО «ЧИП и ДИП»