Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
|
13 дней, 152 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 17(Max)
Логическое напряжение (VIL), В: 1.5
Логическое напряжение (VIH), В: 3.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
 быстрый просмотр |
13 дней, 152 шт. |
1 700 ֏
×
1 120 ֏ |
от 5 шт. — 1 090 ֏
|
|
13 дней, 371 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 17(Max)
Логическое напряжение (VIL), В: 1.1
Логическое напряжение (VIH), В: 1.8
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 70
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
 быстрый просмотр |
13 дней, 371 шт. |
1 700 ֏
×
910 ֏ |
от 5 шт. — 800 ֏
|
|
13 дней, 694 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12.5…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.1
Логическое напряжение (VIH), В: 1.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.29
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.43
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 75
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: soic-16(0.154 inch)
|
 быстрый просмотр |
13 дней, 694 шт. |
1 760 ֏ × |
от 5 шт. — 1 710 ֏
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 140 ֏ × |
|
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 500
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
|
 быстрый просмотр |
1 680 ֏ × |
от 5 шт. — 1 660 ֏
|
|
|
Бренд: IR
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
530 ֏
×
337 ֏ |
от 5 шт. — 328 ֏
|
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип входа: неинвертирующий
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
 быстрый просмотр |
970 ֏ × |
от 5 шт. — 720 ֏
от 10 шт. — 610 ֏
от 100 шт. — 530 ֏
|
|
|
3 недели, 283 шт.
Бренд: Semikron
Конфигурация: Half-Bridge
Кол-во каналов: 2
Рабочая температура, °C: -40…+85
|
 быстрый просмотр |
3 недели, 283 шт. |
40 700 ֏ × |
от 5 шт. — 38 600 ֏
от 10 шт. — 36 700 ֏
от 20 шт. — 34 800 ֏
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45
Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
1 980 ֏ × |
|
|
|
По запросу
Бренд: ST Microelectronics
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 14.6…16.6
Логическое напряжение (VIL), В: 1.5
Логическое напряжение (VIH), В: 3.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -45…+125(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр |
По запросу |
690 ֏ × |
от 15 шт. — 630 ֏
|