Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT › Half-Bridge

Драйверы MOSFET и IGBT конфигурации Half-Bridge, стр.3

_{70 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IR2155PBF, Самотактируемый полумостовой драйвер, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 430 ֏ 1 460 ֏ ×	от 5 шт. — 1 450 ֏
IR2183STRPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	3 340 ֏ 1 970 ֏ ×	от 5 шт. — 1 940 ֏
IR21844PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 850 ֏ 1 900 ֏ ×	от 5 шт. — 1 890 ֏
IR2184PBF, Драйвер H/B 1.9/2.3А [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 310 ֏ 1 540 ֏ ×	от 15 шт. — 1 450 ֏
IR2184SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	2 430 ֏ 1 630 ֏ ×	от 15 шт. — 1 540 ֏
IR2213PBF, Драйвер IGBT/N-MOSFET, Half-Bridge, 2А/2.5А [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 12…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 1200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -55…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр	7 900 ֏ 5 400 ֏ ×	от 5 шт. — 5 300 ֏
IR2213STRPBF, Драйвер IGBT/N-MOSFET, Half-Bridge, 2А/2.5А [SOIC-16W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 12…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 1200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	7 200 ֏ 4 770 ֏ ×	от 5 шт. — 4 730 ֏
IR2233JPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, инвертируюший вход, 6-OUT, High и Low-Side, 3-фазный мост [PLCC-44, 32 pins] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 38 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 1200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 90 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ) Корпус: PLCC-44, 32 Pins(16.58x16.58)	быстрый просмотр	10 700 ֏ 7 400 ֏ ×
IR25603STRPBF, Тактируемый полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 700 ֏ 1 010 ֏ ×	от 5 шт. — 980 ֏
IR25607SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side [SOIC-16W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	2 670 ֏ 1 610 ֏ ×	от 5 шт. — 1 600 ֏
IRS2011STRPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 200 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	2 710 ֏ ×	от 5 шт. — 2 680 ֏
IRS2110PBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 500В, 2.5А [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 500 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр	2 850 ֏ 1 720 ֏ ×	от 5 шт. — 1 700 ֏
IRS2113SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, High и Low-Side [SOIC-16W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	2 430 ֏ 2 130 ֏ ×	от 5 шт. — 2 020 ֏
IRS21531DSPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, RC входная цепь, 2-OUT, High и Low-Side, полумост [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 100 ֏ ×	от 5 шт. — 1 080 ֏
IRS2153DPBF, Полумостовой драйвер с генератором, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	1 750 ֏ ×	от 5 шт. — 1 690 ֏
IRS2153DSTRPBF, Полумостовой драйвер с генератором, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 120 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	1 340 ֏ 870 ֏ ×	от 10 шт. — 810 ֏
IRS2181STRPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, неинвертируюший вход, 2-OUT, High и Low-Side [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	3 340 ֏ 1 830 ֏ ×	от 5 шт. — 1 510 ֏
IRS21844STRPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, H/L-Side, 600В, 2.3А [SOIC-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-14(0.154 inch)	быстрый просмотр	4 020 ֏ ×	от 5 шт. — 3 840 ֏
IRS21864STRPBF, Драйвер IGBT/MOSFET, 4А [SOIC-14-0.154] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-14(0.154 inch)	быстрый просмотр	3 400 ֏ 2 240 ֏ ×	от 5 шт. — 2 220 ֏
IRS23364DJPBF, Драйвер IGBT/MOSFET мостовой трехфазный [PLCC-44, 32 Leads] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 11.5…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 125 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: PLCC-44, 32 Pins(16.58x16.58)	быстрый просмотр	7 100 ֏ 4 020 ֏ ×	от 5 шт. — 3 870 ֏

Драйверы MOSFET и IGBT конфигурации Half-Bridge, стр.3

ООО «ЧИП и ДИП»