Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Бренд: Infineon

Технология/семейство: High speed H3

Наличие встроенного диода: Да

Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200

Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150

Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300

Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.35

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 938

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 38

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 303

Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175

Корпус: PG-TO247-4-2

быстрый просмотр

20 900 ֏
14 700 ֏