4N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 4А [TO-252]
![4N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 4А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2126 шт. с центрального склада, срок 3 недели
69 ֏
от 15 шт. —
61 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 69 ֏
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.3 Ом/2А, 10В | |
| Корпус | dpak | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet UMW 4N65
pdf, 535 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 22 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
