CI30N120SM, Транзистор N-MOSFET SiC 1200В 31А 200Вт [TO-247]
![CI30N120SM, Транзистор N-MOSFET SiC 1200В 31А 200Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307918.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
148 шт. с центрального склада, срок 12 дней
3 740 ֏
от 5 шт. —
3 410 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 740 ֏
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 31 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80 Ом/20A, 20В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 | |
| Крутизна характеристики, S | 7 | |
| Корпус | TO-247-3 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
CI30N120SM
pdf, 616 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 15 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
