FDN308P, Транзистор P-MOSFET 20В 1.5А 0.5Вт [SOT-23-3]
![FDN308P, Транзистор P-MOSFET 20В 1.5А 0.5Вт [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2984 шт. с центрального склада, срок 9 дней
37 ֏
от 100 шт. —
31 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 37 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.5 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 86 мОм/1.5А, 4.5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 | |
| Крутизна характеристики, S | 12 | |
| Корпус | SOT-23-3 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.6…1.5 | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet UMW FDN308P
pdf, 441 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 22 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
