FDN327N, Транзистор N-MOSFET 20В 2А 0.5Вт [SOT-23-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2593 шт. с центрального склада, срок 10 дней
28 ֏
от 100 шт. —
25 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 28 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 40 мОм/2А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 | |
Крутизна характеристики, S | 11 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Пороговое напряжение на затворе | 0.4…1.5 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet UMW FDN327N
pdf, 397 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 мая1 | бесплатно |
HayPost | 22 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг