FDS6690AS, Транзистор N-MOSFET 30В 10А [SOIC-8-0.154]
![Фото 1/3 FDS6690AS, Транзистор N-MOSFET 30В 10А [SOIC-8-0.154]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 ֏
от 5 шт. —
219 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 10А, Idm: 50А, 2,5Вт, SO8 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12 Ом/10А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Документация
pdf, 781 КБ
Datasheet FDS6690AS
pdf, 658 КБ
С этим товаром покупают
Похожие товары
![7N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 7А [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![FDS6681Z, Транзистор P-MOSFET 30В 18А 3.1Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
