Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ON Semiconductor

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

BS170, Транзистор, N-канал, 60В, 0.5А [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83 Крутизна характеристики, S: 0.32 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	140 ֏ 82 ֏ ×	от 100 шт. — 71 ֏
FDPF12N60NZ, Транзистор N-канал 600В 12А (=FQPF12N60C), [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.65 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 39 Крутизна характеристики, S: 13.5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	1 940 ֏ 1 200 ֏ ×	от 15 шт. — 1 160 ֏
FDPF4N60NZ, Транзистор, UniFET II, N-канал, 600В, 3.8А, 2.5Ом (=SSS4N60B), [TO-220FP] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/1.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 28 Крутизна характеристики, S: 3.3 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	1 400 ֏ 790 ֏ ×	от 15 шт. — 780 ֏
FDS4435BZ, МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -30 В, 0.016 Ом, -10 В, -2.1 В [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/8.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.2 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	730 ֏ 438 ֏ ×	от 50 шт. — 408 ֏
FDS9435A, Транзистор, PowerTrench, P-канал, 30В 5.3А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/5.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	407 ֏ 268 ֏ ×	от 25 шт. — 257 ֏
FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6.5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	540 ֏ 299 ֏ ×	от 25 шт. — 287 ֏
FQP4N90C, Транзистор, N-канал 900В 4А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 280 ֏ 770 ֏ ×	от 15 шт. — 760 ֏
FQPF10N60C, Транзистор, N-канал 600В 9.5А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.73 Ом/4.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 156 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	1 460 ֏ 930 ֏ ×	от 15 шт. — 910 ֏
FQPF8N60CFT, Транзистор, N-канал 600В 7.5А (=SSP7N60B), [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/3.13А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 147 Крутизна характеристики, S: 8.2 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	1 460 ֏ 900 ֏ ×	от 15 шт. — 880 ֏
RFP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/50А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 131 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	1 280 ֏ 750 ֏ ×	от 15 шт. — 740 ֏
2N7002L, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 80 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	79 ֏ 41 ֏ ×	от 100 шт. — 26 ֏
2N7002LT1G, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 80 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	36 ֏ ×	от 100 шт. — 30 ֏
BUZ11-NR4941, Транзистор, N-канал 50В 30А 0.04Ом [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	910 ֏ 540 ֏ ×	от 15 шт. — 530 ֏
FCA20N60F, Транзистор, N-канал 600В 20А [TO-3P] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	5 400 ֏ 3 540 ֏ ×	от 15 шт. — 3 500 ֏
FCA22N60N, Транзистор, SupreMOS, N-канал, 600В, 22А, 0.165Ом [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 205 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	6 400 ֏ 4 250 ֏ ×	от 15 шт. — 4 200 ֏
FCA47N60, Транзистор, N-канал 600В 47А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/23.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 417 Крутизна характеристики, S: 40 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	9 300 ֏ 6 500 ֏ ×	от 15 шт. — 6 400 ֏
FCP13N60N, Транзистор, N-канал 600В 13А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.258 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 116 Крутизна характеристики, S: 16.3 Корпус: to-220	быстрый просмотр	2 260 ֏ ×	от 10 шт. — 2 020 ֏
FCP16N60N, Транзистор, SupreMOST, N-канал, 600В, 16А, 0.170Ом [TO220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.199 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 134 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: to-220	быстрый просмотр	6 200 ֏ 4 120 ֏ ×	от 15 шт. — 4 090 ֏
FCP22N60N, Транзистор, N-канал 600В 22А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 205 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: to-220	быстрый просмотр	4 310 ֏ 2 850 ֏ ×	от 15 шт. — 2 840 ֏
FCPF11N60NT, Транзистор, N-канал 600В 10.8А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.299 Ом/5.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 32.1 Крутизна характеристики, S: 13.5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	2 850 ֏ 1 810 ֏ ×	от 15 шт. — 1 800 ֏

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ON Semiconductor

ООО «ЧИП и ДИП»