Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FQD8P10TM_F085, Транзистор

FQD8P10TM_F085, Транзистор

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

640 ֏

от 5 шт. — 610 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 640 ֏

Номенклатурный номер: 9000825957

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Решения для управления питанием в облаке
Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.

Технические параметры

Channel Type	P Channel
Drain Source On State Resistance	0.41Ом
Power Dissipation	44Вт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	100В
Непрерывный Ток Стока	6.6А
Полярность Транзистора	P Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	44Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.41Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Вес, г	0.4