FQU11P06TU, Транзистор, Р-канал 60В 9.4А [I-PAK]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

790 ֏

472 ֏

от 15 шт. — 456 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 472 ֏

Номенклатурный номер: 9000019993

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology.

Структура	P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.185 Ом/4.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	4.9
Корпус	IPAK
Пороговое напряжение на затворе	-3…-5
Вес, г	0.45