IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
730 ֏
494 ֏
от 50 шт. —
463 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 494 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 74 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.02 Ом/38А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 | |
Крутизна характеристики, S | 21 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | -4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF4905PBF
pdf, 190 КБ
IRF4905 datasheet
pdf, 108 КБ
Datash eetIRF4905PBF
pdf, 181 КБ
С этим товаром покупают