IRF4905STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал, 55В, 74А [D2-PAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 880 ֏
880 ֏
от 50 шт. —
820 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 880 ֏
Описание
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Infineon, предлагает линейку дискретных мощных МОП-транзисторов HEXFET®, включая P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также форм-факторах, которые подходят почти для всех любая компоновка платы и задача теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Infineon, предлагает линейку дискретных мощных МОП-транзисторов HEXFET®, включая P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также форм-факторах, которые подходят почти для всех любая компоновка платы и задача теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 74 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.02 Ом/38А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 | |
Крутизна характеристики, S | 21 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 1.63 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 367 КБ
IRF4905S Datasheet
pdf, 168 КБ
Datasheet IRF4905S, IRF4905L
pdf, 361 КБ
С этим товаром покупают