Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET ...

IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO-262]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2 190 ֏

1 510 ֏

от 15 шт. — 1 450 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 510 ֏

Номенклатурный номер: 2602516821

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Технические параметры

Структура	P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.06 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	200
Крутизна характеристики, S	10
Корпус	TO-262
Пороговое напряжение на затворе	-4
Вес, г	2.5