IRF530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
316 ֏
211 ֏
от 50 шт. —
199 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 211 ֏
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.09 Ом/9А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 | |
Крутизна характеристики, S | 12 | |
Корпус | TO-220AB | |
Особенности | аудиоприложения | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 1.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 183 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF530NPBF
pdf, 192 КБ
Datasheet IRF530N
pdf, 182 КБ
С этим товаром покупают