IRF540ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 36А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
730 ֏
350 ֏
от 15 шт. —
334 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 350 ֏
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0265 Ом/22А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 92 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF540ZLPBF
pdf, 383 КБ
Datasheet IRF540ZPBF
pdf, 302 КБ
Datasheet IRF540ZPBF
pdf, 378 КБ
С этим товаром покупают