IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]

Фото 1/6 IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 460 ֏
850 ֏
от 50 шт.830 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 850 ֏
Номенклатурный номер: 9000618339

Описание

МОП-транзистор MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.3 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 82
Крутизна характеристики, S 4.9
Корпус D2PAK(2 Leads+Tab)
Вес, г 1.6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF630NSTRLPBF
pdf, 336 КБ
Datasheet IRF630NPBF
pdf, 335 КБ
Datasheet irf630npbf
pdf, 337 КБ