Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRF630PBF, Транзистор, N-канал 200В 9.0А ...

IRF630PBF, Транзистор, N-канал 200В 9.0А [TO-220AB]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

590 ֏

308 ֏

от 15 шт. — 292 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 308 ֏

Номенклатурный номер: 38352

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

The Vishay Semiconductor third generation power mosfet provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.4 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	100
Крутизна характеристики, S	3
Корпус	TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе	4
Вес, г	2.5