IRF7341TR, Транзистор 2N-MOSFET 55В 4.7А 2Вт [SOP-8]
![IRF7341TR, Транзистор 2N-MOSFET 55В 4.7А 2Вт [SOP-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3319 шт. с центрального склада, срок 13 дней
91 ֏
от 50 шт. —
82 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 91 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Структура | 2N-канала | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.7 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 30 мОм/4.7А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
| Крутизна характеристики, S | 7.9 | |
| Корпус | SOIC-8 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 1 min. | |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet UMW IRF7341
pdf, 374 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 22 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
