IRFBG30PBF, Транзистор, N-канал 1000В 3.1А [TO-220AB]
![Фото 1/7 IRFBG30PBF, Транзистор, N-канал 1000В 3.1А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/211/DOC001211125.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 400 ֏
950 ֏
от 15 шт. —
880 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 950 ֏
Описание
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.1 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5 Ом/1.9А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
| Крутизна характеристики, S | 2.1 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFBG30PBF
pdf, 1636 КБ
IRFBG30 Datasheet
pdf, 167 КБ
Документация
pdf, 1638 КБ
Datasheet IRFBG30
pdf, 606 КБ
С этим товаром покупают
