IRFD220PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 200В, 0.8А [HVMDIP]
![Фото 1/6 IRFD220PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 200В, 0.8А [HVMDIP]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
256 ֏
от 15 шт. —
249 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 256 ֏
Описание
МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET HEXDI
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.8 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.8 Ом/0.48А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 | |
| Крутизна характеристики, S | 1.1 | |
| Корпус | HVMDIP-4 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet IRFD220PBF
pdf, 989 КБ
Datasheet IRFD220PBF
pdf, 1894 КБ
IRFD220 Datasheet
pdf, 175 КБ
Документация
pdf, 1894 КБ
Datasheet IRFD220, SiHFD220
pdf, 1895 КБ
С этим товаром покупают
