Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал ...

IRFD9120PBF, Транзистор, MOSFET, P-канал, 100В, 1A [HVMDIP]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

730 ֏

361 ֏

от 15 шт. — 334 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 361 ֏

Номенклатурный номер: 64236

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

The Vishay Semiconductor third generation power mosfet provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

Технические параметры

Структура	P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.6 Ом/0.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	1.3
Крутизна характеристики, S	0.71
Корпус	HVMDIP-4
Пороговое напряжение на затворе	-2…-4
Вес, г	0.6