IRFR9024NTRPBF, Транзистор P-MOSFET 55В 11A [D-PAK]
![Фото 1/9 IRFR9024NTRPBF, Транзистор P-MOSFET 55В 11A [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/642/DOC001642673.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
228 ֏
от 50 шт. —
211 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 228 ֏
Посмотреть аналоги1
Описание
P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Infineon, предлагает линейку дискретных мощных МОП-транзисторов HEXFET®, включая P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также форм-факторах, которые подходят почти для всех любая компоновка платы и задача теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Infineon, предлагает линейку дискретных мощных МОП-транзисторов HEXFET®, включая P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также форм-факторах, которые подходят почти для всех любая компоновка платы и задача теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.175 Ом/6.6А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 | |
| Крутизна характеристики, S | 2.5 | |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
| Пороговое напряжение на затворе | -4 | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
С этим товаром покупают
