IRLD024PBF, Транзистор, N-канал 60В 2.5А, [HD-1]
![Фото 1/4 IRLD024PBF, Транзистор, N-канал 60В 2.5А, [HD-1]](https://static.chipdip.ru/lib/306/DOC005306871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 ֏
423 ֏
от 15 шт. —
420 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 423 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 1,8А, 1,3Вт, DIP4 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.1 Ом/1.5А, 5В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 42 | |
| Крутизна характеристики, S | 7.3 | |
| Корпус | HVMDIP-4 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2 | |
| Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1693 КБ
Datasheet
pdf, 1693 КБ
Документация
pdf, 1695 КБ
Datasheet IRLD024, SiHLD024
pdf, 1695 КБ
С этим товаром покупают
