IRLD110PBF, Транзистор, N-канал 100В 1А, [HD-1]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
590 ֏
331 ֏
от 15 шт. —
318 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 331 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 0,7А, 1,3Вт, DIP4 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.54 Ом/0.6А, 5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 | |
Крутизна характеристики, S | 1.3 | |
Корпус | HVMDIP-4 | |
Пороговое напряжение на затворе | 2 | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1623 КБ
Datasheet IRLD110PBF
pdf, 786 КБ
IRLD110 Datasheet
pdf, 169 КБ
Документация
pdf, 1625 КБ
Datasheet IRLD110
pdf, 786 КБ
С этим товаром покупают