IRLML9303TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 2.3А [Micro3 / SOT-23]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
479 ֏
289 ֏
от 25 шт. —
278 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 289 ֏
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.165 Ом/2.3А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 | |
Корпус | Micro-3/SOT-23-3 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
С этим товаром покупают