SCT50N120, Silicon Carbide MOSFET, SiC, Single, N Channel, 65 А, 1.2 кВ, 0.052 Ом, HiP247

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

645 шт., срок 9-11 недель

39 200 ֏

от 5 шт. — 35 700 ֏

от 10 шт. — 31 800 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 39 200 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8001639030

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Описание Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 50А, Idm: 130А, 318Вт Характеристики

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.052Ом
Power Dissipation	318Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Конфигурация МОП-транзистора	Single
Максимальная Рабочая Температура	200°C
Напряжение Измерения Rds(on)	20В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	65А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	318Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.052Ом
Стиль Корпуса Транзистора	HiP247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	7.26