SI2319CDS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5397 шт. с центрального склада, срок 9 дней
107 ֏
от 100 шт. —
81 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 107 ֏
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.054 Ом/3.6А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 | |
Крутизна характеристики, S | 18 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet SI2319CDS-T1-GE3
pdf, 866 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 мая1 | бесплатно |
HayPost | 22 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг