Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) VBsemi

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Ереван
Цена, ֏
Мин. цена
Макс. цена
FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252]
1627 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 187
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1627 шт.
540 ֏
202 ֏
×
от 100 шт. — 184 ֏
2SK2232-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 45А 52Вт [TO-220F]
9 дней, 472 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 45
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/18А/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 52
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
9 дней,
472 шт.
325 ֏ ×
от 100 шт. — 295 ֏
APM4010NUC-TRL-VB, Транзистор N-MOSFET 40В 59А [TO-252]
9 дней, 1223 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.005 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.13
Крутизна характеристики, S: 180
Корпус: TO-252
быстрый просмотр
9 дней,
1223 шт.
195 ֏ ×
от 100 шт. — 177 ֏
APM4015PUC-TRL-VB, Транзистор P-MOSFET 40В 50А [TO-252]
9 дней, 1255 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/17А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3
Крутизна характеристики, S: 61
Корпус: TO-252
быстрый просмотр
9 дней,
1255 шт.
186 ֏ ×
от 100 шт. — 170 ֏
BUK7635-55A-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 36А [TO-263 / D2PAK]
9 дней, 397 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/21A/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: TO-263/D2PAK
быстрый просмотр
9 дней,
397 шт.
1 160 ֏
760 ֏
×
от 205 шт. — 720 ֏
FCPF22N60NT-VB, Транзистор MOSFET 650В 20А [TO-220F]
9 дней, 126 шт.
Бренд: VBsemi
быстрый просмотр
9 дней,
126 шт.
730 ֏ ×
от 15 шт. — 690 ֏
FDC6420C-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 20В 5,5/-3.2А [TSOP-6]
9 дней, 10879 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5/3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/2.5А, 10В/0.055 Ом/1.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.15
Крутизна характеристики, S: 4.3/2
Корпус: TSOP-6
быстрый просмотр
9 дней,
10879 шт.
146 ֏
104 ֏
×
от 50 шт. — 96 ֏
FDD8424H-VB, Транзистор N/P-MOSFET 40В 50А [TO-252-4L]
9 дней, 321 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 108
Крутизна характеристики, S: 40/18
Корпус: DPAK(4 Leads+Tab)
быстрый просмотр
9 дней,
321 шт.
261 ֏ ×
от 100 шт. — 238 ֏
FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8]
9 дней, 866 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/7.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
9 дней,
866 шт.
186 ֏ ×
от 15 шт. — 170 ֏
FQP13N10L-VB, Транзистор N-MOSFET 100В 18А 105Вт [TO-220AB]
9 дней, 352 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.127 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: to-220
быстрый просмотр
9 дней,
352 шт.
409 ֏ ×
от 15 шт. — 374 ֏
IRF7105TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 30В 6.8А/-6.6А [SOIC-8]
9 дней, 2661 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8/6.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/6.8А, 10В/0.044 Ом/6.5А, 8В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Крутизна характеристики, S: 27/25
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
9 дней,
2661 шт.
346 ֏
226 ֏
×
от 50 шт. — 208 ֏
IRF7240TRPBF-VB, Транзистор P-канал 40В 10.2A [SOIC-8]
9 дней, 5024 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/10.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 37
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
9 дней,
5024 шт.
479 ֏
311 ֏
×
от 50 шт. — 291 ֏
IRF7324TRPBF-VB, Транзистор 2P-канала 20В 8.9A TrenchFET [SOIC-8]
9 дней, 6729 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 26
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
9 дней,
6729 шт.
449 ֏
239 ֏
×
от 100 шт. — 218 ֏
IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8]
9 дней, 5377 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
9 дней,
5377 шт.
485 ֏
330 ֏
×
от 50 шт. — 315 ֏
IRF7343TRPBF-VB, Транзистор N/P-каналы 60В 5.3/4.9А TrenchFET [SOIC-8]
9 дней, 7031 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/4.7А, 10В/0.105 Ом/3.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
9 дней,
7031 шт.
580 ֏
374 ֏
×
от 25 шт. — 347 ֏
быстрый просмотр
9 дней,
100 шт.
311 ֏ ×
от 15 шт. — 294 ֏
IRFR9120NTRPBF-VB, Транзистор Р-MOSFET 100В 8.8А 32.1Вт [D-PAK]
9 дней, 499 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 32.1
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: TO-252
быстрый просмотр
9 дней,
499 шт.
372 ֏ ×
от 15 шт. — 340 ֏
IRLML9301TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3]
9 дней, 3934 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/4.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: Micro-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
9 дней,
3934 шт.
79 ֏
75 ֏
×
от 100 шт. — 71 ֏
IRLR2905TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 35А [DPAK / TO-252]
9 дней, 1779 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
9 дней,
1779 шт.
425 ֏
279 ֏
×
от 50 шт. — 260 ֏
MMBF170LT1G-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 0.25А 0.3Вт [SOT-23-3]
9 дней, 4567 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.3 Ом/0.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.3
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
9 дней,
4567 шт.
46 ֏ ×
от 100 шт. — 41 ֏
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60