FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252]
![FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт. со склада г.Ереван, 2 дня
1888 шт. с центрального склада, срок 2 недели
540 ֏
200 ֏
от 100 шт. —
182 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 ֏
Посмотреть аналоги2
Описание
30V 80A 9m-@10V,80A P Channel TO-252-2 MOSFETs
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.011 Ом/30А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 187 | |
| Крутизна характеристики, S | 20 | |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet FDD6637
pdf, 764 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 3 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 7 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
