SI5441BDC-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 4.4А [Chip FET -8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

431 ֏

275 ֏

от 15 шт. — 268 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 275 ֏

Номенклатурный номер: 9000448316

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора	1206
Рассеиваемая Мощность	2.5Вт
Полярность Транзистора	P Channel
Напряжение Истока-стока Vds	-20В
Непрерывный Ток Стока	-6.1А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.08Ом
Напряжение Измерения Rds(on)	8В
Пороговое Напряжение Vgs	12В
Вес, г	0.01