Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STFU10N80K5, Силовой МОП-транзистор, N Канал ...

STFU10N80K5, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 9 А, 0.47 Ом, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

20 шт., срок 9-11 недель

3 250 ֏

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 10 шт. — 2 770 ֏

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 13 000 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8239629973

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	14 ns
Id - Continuous Drain Current:	9 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	30 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	22 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	470 mOhms
Rise Time:	11 ns
Series:	STFU10N80K5
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	35 ns
Typical Turn-On Delay Time:	14.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	800 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	1.38