STW78N65M5, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 69 А, 0.024 Ом, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
194 шт., срок 9-11 недель
20 500 ֏
от 5 шт. —
18 600 ֏
от 10 шт. —
17 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 20 500 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-channel MDmesh V Power MOSFETSTMicroelectronics 550 and 650V MDmesh M5 series of super-junction Power MOSFETs offer outstanding R DS(on) values to significantly reduce losses in line-voltage PFC circuits and power supplies. This in turn enables new generations of electronic products to offer greater energy savings, superior power density, and more compact applications. This new technology will help product designers tackle emerging challenges such as the high-efficiency targets of new eco-design directives, and will also benefit the renewable energy sector by saving vital watts normally lost in power-control modules.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.024Ом |
Power Dissipation | 450Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh V |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
Непрерывный Ток Стока | 69А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 450Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.024Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Fall Time: | 14 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 69 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 450 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 203 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms |
Rise Time: | 14 ns |
Series: | Mdmesh M5 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 930 КБ
Datasheet STW78N65M5
pdf, 953 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
Похожие товары