STW78N65M5, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 69 А, 0.024 Ом, TO-247, Through Hole

Фото 1/2 STW78N65M5, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 69 А, 0.024 Ом, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
194 шт., срок 9-11 недель
20 500 ֏
от 5 шт.18 600 ֏
от 10 шт.17 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 20 500 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8000285033
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-channel MDmesh V Power MOSFET
STMicroelectronics 550 and 650V MDmesh M5 series of super-junction Power MOSFETs offer outstanding R DS(on) values to significantly reduce losses in line-voltage PFC circuits and power supplies. This in turn enables new generations of electronic products to offer greater energy savings, superior power density, and more compact applications. This new technology will help product designers tackle emerging challenges such as the high-efficiency targets of new eco-design directives, and will also benefit the renewable energy sector by saving vital watts normally lost in power-control modules.

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.024Ом
Power Dissipation 450Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции MDmesh V
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 650В
Непрерывный Ток Стока 69А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 450Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.024Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 600
Fall Time: 14 ns
Id - Continuous Drain Current: 69 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 450 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 203 nC
Qualification: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance: 24 mOhms
Rise Time: 14 ns
Series: Mdmesh M5
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: MDmesh
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Вес, г 2.3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 930 КБ
Datasheet STW78N65M5
pdf, 953 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 7 августа1 бесплатно
HayPost 11 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг