TK6A65D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 650В 6А [TO-220SIS]
![Фото 1/4 TK6A65D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 650В 6А [TO-220SIS]](https://static.chipdip.ru/lib/547/DOC005547814.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 шт. с центрального склада, срок 12 дней
1 280 ֏
750 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 750 ֏
Описание
МОП-транзистор N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.11 Ом/3А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 | |
| Корпус | TO-220SIS | |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
TK6A65D_datasheet_en_20131101-1151080
pdf, 196 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 мая1 | бесплатно |
| HayPost | 15 мая1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
