NX2301P,215, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2А 0.4Вт, 0.1 Ом

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3602 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели

66 ֏

Мин. кол-во для заказа 33 шт.

от 162 шт. — 49 ֏

от 323 шт. — 43 ֏

от 645 шт. — 38 ֏

Добавить в корзину 33 шт. на сумму 2 178 ֏

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8001929549

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2А 0.4Вт, 0.1 Ом

Корпус	sot-23
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	2 A
Maximum Drain Source Resistance	120 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Maximum Gate Source Voltage	-8 V, +8 V
Maximum Gate Threshold Voltage	1.1V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	400 mW
Minimum Gate Threshold Voltage	0.5V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	4.5 nC @ 10 V
Width	1.4mm
Transistor Polarity	P Channel; Continuous Drain Current Id
Вес, г	0.03