BSS119NH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
311 ֏
от 10 шт. —
234 ֏
от 100 шт. —
163 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 120 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSS119NH6327XTSA1 от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD). Этот N-MOSFET транзистор имеет максимальный ток стока 0,19 А и напряжение сток-исток 100 В, что делает его подходящим для разнообразных электронных схем. С мощностью 0,5 Вт и сопротивлением в открытом состоянии 10 Ом, он обеспечивает надежную и эффективную работу при минимальном энергопотреблении. Устройство заключено в компактный корпус SOT23, что облегчает его интеграцию в различные электронные устройства. Используя код BSS119NH6327XTSA1, вы легко найдете и приобретете этот транзистор для своих проектов. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 0.19 |
Напряжение сток-исток, В | 100 |
Мощность, Вт | 0.5 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 10 |
Корпус | SOT23 |
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | 1 N-Channel |
Factory Pack Quantity | 9000 |
Fall Time | 18.8 ns |
Forward Transconductance - Min | 350 mS |
Height | 1.1 mm |
Id - Continuous Drain Current | 190 mA |
Length | 2.9 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Reel |
Part # Aliases | BSS119N H6327 SP000870644 |
Pd - Power Dissipation | 500 mW |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 600 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.406 Ohms |
Rise Time | 3.3 ns |
RoHS | Details |
Series | BSS119 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 7 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 2.7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.3 V |
Width | 1.3 mm |
Base Product Number | BSS119 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 190mA (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 10V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20.9pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 190mA, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 13ВµA |
Automotive | Yes |
Channel Type | N |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.19 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6000 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.3 |
Maximum IDSS (uA) | 0.01 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | Unknown |
Standard Package Name | SOT-23 |
Supplier Package | SOT-23 |
Typical Fall Time (ns) | 18.8 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 0.6 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.6 10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 15.7 25V |
Typical Rise Time (ns) | 3.3 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 7 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 2.7 |
Maximum Continuous Drain Current | 190 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 10 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
Maximum Power Dissipation | 500 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
Package Type | SOT-23 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.6 nC @ 10 V |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 603 КБ
Datasheet BSS119NH6327XTSA1
pdf, 655 КБ
Datasheet BSS119NH6327XTSA1
pdf, 603 КБ